Tá sé ar intinn ag SK hynix DRAM ultra-ardluais a tháirgeadh an-ard an bhliain seo chugainn, ar féidir é a úsáid le haghaidh AI agus ríofa.

Dar le BusinessKorea, d'fhógair SK hynix ar an 12 Lúnasa gur fhorbair sé HBM2EDRAM, leathsheoltóir cuimhne ard-bandaleithead ar féidir é a úsáid i bhfeistí agus i ríomhairí ríomhaireachta saorga (AI).

Dúirt an chuideachta gurb é an tslis nua an luas is tapúla sa tionscal. Tacaíonn an HBM2E le níos mó ná 460GB bandaleithead in aghaidh an tsoicind, bunaithe ar fheidhmíocht luais 3.6Gbps in aghaidh an bhioráin agus 1,024 sonraí I / Os, atá 50% níos airde ná HBM2DRAM na cuideachta a forbraíodh bliain ó shin.

Ag deireadh mhí na Nollag 2013, d'fhorbair SK hynix an chéad HBM (cuimhne ard bandaleithead) le ceithre chéim de DRAM cruachta.

Tuigtear go bhfuil pacáiste cuimhne 16GB forbartha ag SK hynix trí ocht gclib 16Gb a chruachadh go hingearach ag úsáid & quot; trí sileacain trí & quot; (TSV) teicneolaíocht. Tosóidh SK hynix olltáirgeadh sliseanna nua in 2020. Baintear úsáid as táirgí cuimhne nua go príomha le haghaidh cártaí grafaicí, ríomhairí, ríomhairí agus freastalaithe a dteastaíonn cuimhne ardfheidhmíochta ardluais uathu.

Tá sé beartaithe ag SK hynix a bheith i gceannas ar mhargadh leathsheoltóra cuimhne na chéad ghlúine eile le HBM2EDRAM. Ba é a díolacháin dara ráithe DRAM $ 4.26 billiún, agus b'ionann sin agus 28.7% den mhargadh domhanda.

“Ón uair a eisíodh an chéad HBMDRAM ar domhan in 2013, is iomaí iomaíochas teicneolaíochta ab ea SK hynix,” a dúirt JeonJun-hyun, atá freagrach as straitéis ghnó HBM na cuideachta. “Tosóimid olltáirgeadh HBM2E an bhliain seo chugainn agus leanfaimid orainn ag neartú ár láithreachta. Buntáistí teicniúla sa mhargadh. & Quot;